Вывод
Наиме-нование
Функциональное назначение
1
СОМР
Выход усилителя сигнала ошибки
2
UFB
Вход усилителя сигнала ошибки
3
ISEN
Вход компаратора контроля тока
4
Rт/Ст
Вывод для подключения частотозадающей цепи
5
GND
Общий вывод
6
UOUT
Выход коммутирующих импульсов
7
UCC
Напряжение питания микросхемы
8
UREF
Выход источника прецизионного образцового напряжения
Сегодня разработка импульсных ста-билизаторов значительно упростилась. Стали доступны (в том числе и по цене) интегральные микросхемы, включающие в себя все необходимые узлы. Кроме то-го, производители полупроводниковых приборов стали сопровождать свои изде-лия большим количеством информации по применению, содержащей типовые схемы включения, которые удовлетворя-ют потребителя в подавляющем боль-шинстве случаев. Это практически ис-ключает из разработки этапы предвари-тельных расчетов и макетирования. При-мер тому -- микросхема КР1155ЕУ2.
В ее состав входят коммутатор, дат-чик тока, источник образцового напря-жения (5,1 В ± 2 %), узел управления тринистором для защиты от превыше-ния напряжения на нагрузке, узел плав-ного запуска, узел сброса для внешних устройств, узел для дистанционного вы-ключения, узел защиты микросхемы от перегрева.
Рассмотрим источник питания, разработанный на основе КР1155ЕУ2.
Резисторы R7 и R8 служат для регу-лирования выходного напряжения. Ког-да движок резистора R7 находится в нижнем по схеме положении, напря-жение на выходе минимально и равно образцовому напряжению микросхемы DА1, соответственно, когда в верхнем -- выходное напряжение максимально.
Тринистор VS1 открывается сигна-лом СВО (вывод 15 DА1), если напряже-ние на входе СВI (вывод 1 DА1) превышает внутреннее образцовое микросхе-мы DА1 приблизительно на 20 %. Так осуществляется защита нагрузки от превышения напряжения на выходе.
Все оксидные конденсаторы К50-35, кроме С1 -- К50-53. Конденсатор С6 -- керамический К10-176, остальные пленочные (К73-9, К73-17 и т. д.). Все по-стоянные резисторы -- С2-23. Перемен-ные резисторы R2 и R7 -- СПЗ-4аМ мощ-ностью 0,25 Вт. Их устанавливают на пла-те с помощью кронштейнов. Дроссель 11 наматывают на двух сложенных кольце-вых магнитопроводах К20х12х6,5 из пер-маллоя МП140.
.
Рис.9.
Импульсный стабилизатор напряжения на микросхеме LM2576ADJ (рис.10)
Сегодня многие фирмы производят специализированные мик-росхемы для импульсных стабилизаторов напряжения. Рассмотрим применение в подобном уст-ройстве микросхемы фирмы National Semiconductor. Отличи-тельная ее особенность -- возможность регулирования выходно-го напряжения при токе нагрузки 3 А.
Основное преимущество импульс-ных стабилизаторов по сравнению с аналоговыми -- высокий КПД, по-скольку работающий в переключатель-ном режиме регулирующий транзистор рассеивает минимальную мощность. Благодаря этому не требуется боль-шой теплоотвод. Кроме того, в регули-руемых стабилизаторах можно осуще-ствить непрерывное перекрытие всего интервала выходного напряжения, без введения подинтервалов (без до-полнительных переключений), что осо-бенно важно для лабораторных блоков питания. Однако из-за присущих им-пульсным стабилизаторам специфиче-ских свойств -- сложности, наличия импульсных помех и сквозного тока ре-гулирующего транзистора -- на прак-тике их применяют гораздо реже ана-логовых.
Современные специализированные микросхемы позволяют значительно упростить импульсные стабилизаторы напряжения и снизить уровень им-пульсных помех, а применение мощных быстродействующих диодов с барье-ром Шотки практически решает про-блему сквозного тока регулирующего транзистора.
Сегодня такие микросхемы выпуска-ют многие отечественные предприятия и зарубежные фирмы. Например, фир-ма National Semiconductor производит несколько серий микросхем для интег-ральных импульсных стабилизаторов напряжения. Одна из них -- LM2576 Основные технические характерис-тики микросхем этой серии
Максимально допустимое
входное напряжение, В ........45
Интервал входного напря-жения, В ...............4,75...40
Номинальное напряжение сигнала обратной связи, В .........................1,23
Интервал напряжения об-ратной связи, В......1,217...1,243
Импульсный коммутируе-мый ток, А...................5,8
Средний ток, А ...................3
Частота коммутации, кГц .........52
КПД, % ........................77
Тепловое сопротивление
кристалл--корпус, °С/Вт ......2 »